MOS管并聯(lián)均流技術(shù)分析 IGBT管并聯(lián)均流技術(shù)分析

時間：2015-08-26作者：長春艾克思科技有限責(zé)任公司瀏覽：145

長春艾克思科技有限責(zé)任公司專注于調(diào)Q電源,二極管測試儀,TEC溫度控制器等

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  詞條說明

• 材料蒸發(fā)溫度控制電源

  圖1 產(chǎn)品外觀圖 一、 概述 PID控制溫度的參數(shù)、適應(yīng)的溫度范圍有限，50~1300℃大溫度范圍的控制，一般采用多點(diǎn)曲線升溫的方式，單一的PID參數(shù)容易引發(fā)高溫段或者低溫段的震蕩現(xiàn)象，引發(fā)系統(tǒng)失調(diào)，損壞電熱絲和熱電偶，經(jīng)過長期的實(shí)驗(yàn)調(diào)試，這里推出多參數(shù)PID控制電源，用于大溫度范圍的控制。PID控制電源人性化的在**板引入較大輸出功率限制調(diào)節(jié)旋鈕，通過設(shè)定旋鈕位置，保證了加熱系統(tǒng)的安全；電源前

• 首創(chuàng)：5kHz電光調(diào)Q電源增加壓電振鈴效應(yīng)抑制功能！

  **：5kHz電光調(diào)Q電源增加壓電振鈴效應(yīng)抑制功能！ 電光調(diào)Q開關(guān)是利用晶體的電光效應(yīng)制成的Q開關(guān)。電光調(diào)Q開關(guān)的開關(guān)速度快、器件的效率高等優(yōu)點(diǎn)！但是正是由于較高的開關(guān)速度，在調(diào)Q器件兩端都會形成壓電振鈴效應(yīng)，這一效應(yīng)增大了調(diào)Q開關(guān)的熱損耗。 ? 壓電振鈴效應(yīng)：調(diào)Q驅(qū)動器通過導(dǎo)線和晶體連接，連接導(dǎo)線等效為一個諧振電感L，晶體等效為一個諧振電容C，如圖1所示；電光調(diào)Q過程是一個高壓窄脈沖過程，高壓脈

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• 肖特基二極管的反向擊穿電壓和正向壓降測試記錄

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