18W PD快充充電器優勢方案

時間：2020-01-05作者：深圳市驪微電子科技有限公司瀏覽：71

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  詞條說明

• 5V1.2A小功率適配器芯片方案特性

  5V1.2A小功率適配器芯片方案采用是原邊反饋電源芯片PN8366，可省略光耦和TL431。內置高壓啟動電路，可實現芯片空載損耗（230VAC）小于30mW，是一種高性能的源邊反饋(PSR)和單片開關電源控制器，專為具有電流模式控制的小型電源設備設計，PN8366集成**低待機功耗準諧振原邊控制器及高雪崩能力智能功率MOSFET，驪微電子用于高性能、外圍元器件精簡的充電器、適配器和內置電源，較大限度

• PN8306 5V同步整流芯片ic

  PN8306產品描述：PN8306包括同步整流控制器及N型功率MOSFET，用于在高性能反激系統中替代次級整流肖特基二極管。PN8306內置電壓降較低的功率MOSFET以提高電流輸出能力，提升轉換效率并降低芯片溫度。PN8306處于開關工作模式，只適用于DCM和QR工作模式的開關電源系統。當芯片檢測到V SW <-400mV，控制器驅動功率MOSFET開啟；當芯片檢測到功率MOSFET流過的

• 36W大功率PWM控制電源芯片AP8266

  AP8266 IC 是一款高集成度的電流模式PWM控制芯片，具有高性能、低待機功耗、低成本等特點。AP8266 IC 內置 綠色的降頻工作模式，根據負載情況調節工作頻率，減少了開關損耗，從而獲得較低的待機功耗的較高的轉換效率。同時AP8266 IC 提供了豐富的保護，包括：逐周期過流保護、過壓保護、過壓箝位、欠壓鎖存、過溫保護、過載保護，同時具有軟啟動和間歇工作模式功能。一旦出現故障，芯片進入自動

• PN8366 5V1.2A充電器方案

  PN8366產品描述：PN8366集成**低待機功耗準諧振原邊控制器及高雪崩能力智能功率MOSFET(PN8366M 700*8366H 800V)，用于高性能、外圍元器件精簡的充電器、適配器和內置電源。PN8366為原邊反饋工作模式，可省略光耦和TL431。內置高壓啟動電路，可實現芯片空載損耗（230VAC）小于30mW。在恒壓模式，采用準諧振與多模式技術提高效率并消除音頻噪聲，使得系統滿足6