司坦森/STANSON 細說MOS管

時間：2020-03-10作者：司坦森集成電路（深圳）有限公司瀏覽：836

司坦森集成電路（深圳）有限公司專注于STP6621,STN4438等

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  詞條說明

• 臺灣STANSON廠家STC4614 規格參數NP40V 10A

  描述STC4614是N和P溝道采用高密度增強型功率場效應晶體管DMOS器件溝道技術。這種高密度的過程，特別是量身定制，以盡量減少對狀態的阻力并提供優越的開關性能。該裝置特別適合于低電壓應用如筆記本電腦電源管理和其他電池供電電路，在高側開關，低的在線功率損耗和電阻瞬態是必要的STC4614 參數：N溝道40V／10.0A，RDS（ON）= 25mΩ（典型值）@ VGS = 10V40V／6A，RDS

• 臺產STC4614 NP40V 10A可替代Si4567 AO4614A Si4599DY Si4564DY原廠庫存充足

  STANSON 閩臺司坦森原廠直銷供貨，庫存充足，價格優勢，質量保證STC4614可替代其它品牌：STC4616替代AO4611、Si4567、AO4614A、UD606、UTM4052、UD4614、Si4599DY、Si4564DY、SN4066CSK、STC4614產品介紹STC4614是N和P溝道采用高密度增強型功率場效應晶體管DMOS器件溝道技術。這種高密度的過程，特別是量身定制，以盡量

• 司坦森/STANSON 細說MOS管

  一、什么是MOS管？MOS管全稱金屬—氧化物—半導體場效應晶體管或稱金屬—絕緣體—半導體場效應晶體管，英文名metal oxide semiconductor，屬于場效應管中的絕緣柵型，因此，MOS管有時候又稱為絕緣柵場效應管。二、MOS管的構造。MOS管這個器件有兩個電極，分別是漏較D和源較S，無論是圖一的N型還是圖二的P型都是一塊摻雜濃度較低的P型半導體硅襯底上，用半導體光刻、擴散工藝制作兩個

• STANSON STC6614 可替代Si4559A SM6041SCK NCE603S

  STC6614替代Si4559ADY、SM6041SCK描述stc6614是N和P溝道采用高密度增強型功率場效應晶體管DMOS器件溝道技術。這種高密度的過程，特別是量身定制，以盡量減少對狀態的阻力并提供優越的開關性能。該裝置特別適合于低電壓應用如筆記本電腦電源管理和其他電池供電電路，在高側開關，低的在線功率損耗和電阻瞬態是必要的。特征N溝道60V /幅，RDS（ON）= 35mΩ（典型值）@ VG