STN454D TO-252 N40V 10A 規(guī)格書 中文資料PDF

時間：2020-03-24作者：司坦森集成電路（深圳）有限公司瀏覽：159

司坦森集成電路（深圳）有限公司專注于STP6621,STN4438等

• 詞條

  詞條說明

• MOS管失效原因是什么？

  MOS管是金屬（metal）—氧化物（oxide）—半導(dǎo)體（semiconductor）場效應(yīng)晶體管，或者稱是金屬—絕緣體（insulator） —半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對調(diào)的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。在多數(shù)情況下，這個兩個區(qū)是一樣的，即使兩 端對調(diào)也不會影響器件的性能。這樣的器件被認為是對稱的。目前在市場應(yīng)用方面，排名**的是消費類電子電源適配器產(chǎn)

• STANSON原廠STP9527規(guī)格 P40V 10A 40mΩ SOP-8應(yīng)用于汽車燈按摩器主板

  STP9527替代AO4443、AO4485、Si4447ADY描述stp9527是P溝道增強型功率場效應(yīng)晶體管邏輯的采用高密度，DMOS器件溝道技術(shù)。這種高密度工藝特別適合于較小化狀態(tài)電阻。這些器件特別適合于低電壓應(yīng)用，noteook電源管理和**電池供電的電路中的高側(cè)開關(guān)。特征- 40V / -10.0a，RDS（上）= 32ma（典型值）@ VGS = -10V- 40V / -8.0a，R

• STC6301D

  STC6301D是采用高電池密度的N+P雙溝道增強模式電場效應(yīng)晶體管mos戰(zhàn)壕技術(shù)。這種高密度的過程特別適合將狀態(tài)阻力降到低并提供優(yōu)越的切換性能。這種裝置特別適用于低壓應(yīng)用如電源管理，其中高側(cè)開關(guān)、低在線功率損耗和暫態(tài)電阻是被需要的。特征N溝道60v/8.00a,rd(上)=37mr@vgs=10v60v/5.0a,rd=28mω@vgs=4.5vP-溝道-60v/-5.0a,RDS=46mω@v

• STP4925 SOP-8 P30V 7.2A stanson廠家大量現(xiàn)貨

  描述stp4925是雙P溝道增強型功率場效應(yīng)晶體管邏輯使用的是高密度，DMOS器件溝道技術(shù)。這種高密度過程是特別定制，以盡量減少對國家的阻力。這些器件特別適合于低電壓應(yīng)用，筆記本電腦電源管理，和其他電池供電的電路，高側(cè)開關(guān)特征-30V / -7.2a，RDS（上）= 20mΩ（典型值@ VGS = - 10V-30V / -5.6a，RDS（上）= 25mΩ@ VGS = 4.5v**高密度電池設(shè)計