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STP413D P40V 12A用于掃地機 可替代AOD413A、UT5504、UTD413
STP413D TO-252 P40V 12A替代UT5504、UTD413閩臺司坦森原廠直銷描述STP413D是P溝道增強型功率場效應晶體管邏輯的采用高密度,DMOS器件溝道技術。的stp413d已特別設計,以提高直流/直流轉換器的整體效率,無論是使用同步或傳統的開關型脈寬調制控制器。它已被優化為低柵電荷,低的RDS(on)和快速開關速度。特征-40V / -12.0a,RDS(上)= 36mΩ
MOS管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導體(semiconductor)場效應晶體管,或者稱是金屬—絕緣體(insulator) —半導體。MOS管的source和drain是可以對調的,他們都是在P型backgate中形成的N型區。在多數情況下,這個兩個區是一樣的,即使兩 端對調也不會影響器件的性能。這樣的器件被認為是對稱的。目前在市場應用方面,排名**的是消費類電子電源適配器產
STANSON原廠現貨STP4435參數P30V 10A用于車燈 可替代Si9804、AO4419
STP4435A替代Si9804、AO4419、AO4411、Si4425、Si4435、Si4431、AO4405E、AO4449、FDS8435、FDS4435、FDS6675、AO4405、Si4431CDY、SM4310PSK、SM4915PSK、AO4415、AO4459描述stp4435是P溝道增強型功率場效應晶體管邏輯它是利用高密度,DMOS器件溝道技術。這種高密度過程是特別定制,以
臺產MOS管 STN4438 參數N60V 8.5A用于風扇 原廠交貨快
STN4438替代ME4436、Si4436DY、SM6029NSK描述stn4438是N溝道增強型功率場效應晶體管邏輯的采用高密度,DMOS器件溝道技術。這種高密度過程是特別定制,以盡量減少對國家的阻力。這些器件特別適合于低電壓應用,如電源管理和其他高側開關的電池供電電路。特征60V / 8.2A,RDS(ON)= 25毫歐(典型值)@ VGS = 10V60V / 7.6A,RDS(ON)=3
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