國(guó)芯思辰｜優(yōu)晶N溝道MOSFET YC52N04ADE用于UPS電源BUCK電路，導(dǎo)通電阻低至6.5mΩ

時(shí)間：2022-12-07作者：國(guó)芯思辰（深圳）科技有限公司瀏覽：130

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  詞條說(shuō)明

• 國(guó)芯思辰｜優(yōu)晶N溝道MOSFET YC52N04ADE用于UPS電源BUCK電路，導(dǎo)通電阻低至6.5mΩ

  國(guó)芯思辰接觸的某工程師在設(shè)計(jì)一款3kW的UPS電源，該項(xiàng)目中需要一款低壓MOS在Buck電路用作開關(guān)。規(guī)格要求：輸出電壓40V，輸出電流40A，封裝DFN3*3。本文推薦優(yōu)晶N溝道MOSFET器件YC52N04ADE。下圖是YC52N04ADE應(yīng)用于UPS電源BUCK電路的典型應(yīng)用框路：點(diǎn)擊添加圖片描述（較多60個(gè)字）編輯上圖是DC-DC拓?fù)渲籅UCK電路，它是一種降壓類型電路。該電路主要元器件

• 國(guó)芯思辰｜基本半導(dǎo)體650V碳化硅肖特基二極管B2D30065HC1可替代C3D30065D用于5G微基站電源

  *5代通信技術(shù)5G頻率越高，穿透和繞射能力會(huì)相對(duì)下降，信號(hào)智能直射傳播，很多偏僻地方就會(huì)收不到信號(hào)，微基站很好彌補(bǔ)了這項(xiàng)缺陷。微基站是一種從產(chǎn)品形態(tài)、**功率、覆蓋范圍等方面都相比傳統(tǒng)宏站小得多的低功率基站設(shè)備。微基站電源應(yīng)用場(chǎng)景包括直流遠(yuǎn)供電源、光電一體箱供電、太陽(yáng)能模塊供電、智慧路燈電源等。由上圖可以看出，此款電源設(shè)備主要由4個(gè)單元組成，其中通信模塊和開關(guān)電源部分決定了5G微基站運(yùn)行的可靠性。

• 國(guó)芯思辰｜采樣速率100kSPS的ADC GAD7683兼容AD7683用于數(shù)字萬(wàn)用表，采集精度高達(dá)16位

  高精度數(shù)字萬(wàn)用表可以支持電壓、電流、電阻等的測(cè)試，主要應(yīng)用于車載、船舶、航空航天等領(lǐng)域。某高精度數(shù)字萬(wàn)用表項(xiàng)目在數(shù)據(jù)處理過(guò)程中需要用到ADC，把模擬信號(hào)轉(zhuǎn)成數(shù)字信號(hào)，由于測(cè)量類的應(yīng)用對(duì)精度的要求較高，國(guó)芯思辰給其介紹了地芯科技的高精度ADC GAD7683，該芯片可滿足項(xiàng)目應(yīng)用需求。GAD7683應(yīng)用框圖GAD7683典型連接原理圖地芯科技GAD7683的方案優(yōu)勢(shì)：1、該方案的采集精度高達(dá)16位，

• 國(guó)芯思辰鐵電存儲(chǔ)器(VFRAM)PB85RS128C在儀表中應(yīng)用，內(nèi)存達(dá)128Kb

  在儀表設(shè)計(jì)中，數(shù)據(jù)的安全存貯非常重要。如電子式電能表，它在運(yùn)行期間時(shí)刻都在記錄數(shù)據(jù)，如果功能設(shè)計(jì)的比較多，那么保存的數(shù)據(jù)量大，擦寫次數(shù)比較多。一般需要有一個(gè)高性能的存貯器才能滿足需求。某客戶在設(shè)計(jì)儀表時(shí)，需要用到一個(gè)壽命長(zhǎng)、數(shù)據(jù)保存安全期長(zhǎng)的存儲(chǔ)器，該客戶較終確定了拍字節(jié)的新型鐵電存儲(chǔ)器(FRAM)PB85RS128，該FRAM芯片（鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）配置為16,384×8位，通過(guò)鐵電工藝和硅柵