兼容A1363，霍爾電流傳感器AH810用于光伏逆變器，靈敏度范圍1.8～30mV/Gs

時間：2023-01-13作者：國芯思辰（深圳）科技有限公司瀏覽：200

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• 國芯思辰｜耐壓1200V的碳化硅MOSFET B1M032120HK用于充電樁電源模塊上，Rds為32mΩ

  隨著新能源汽車的普及，充電樁也成了日常配套的生活設施。目前市面上充電樁電源模塊的轉換效率已經可以做到99%，對于車輛快速且高效的充電有很大的意義。然而這對于設計者來說，功率器件的選型尤為重要。本文提到基本半導體的碳化硅MOSFET B1M032120HK用于充電樁電源模塊的LLC諧振電路中，可以有效降低熱損耗，提高工作效率，同時也可以減小變壓器等器件的體積?；景雽w的碳化硅MOSFET B1M0

• 國芯思辰｜以海速芯8位MCU TM52F1376為主控實現的直發器設計方案

  直發器是一種通過發熱元件把頭發加熱，軟化，然后再冷卻，以達到直發目的的生活電器，下圖是直發器的原理框圖：該類設備可采用國產海速芯8位MCU TM52F1376為主控， 該MCU支持工業級工作溫度范圍-40~+85℃，工作電壓范圍2.2~5.5V電源電壓，也被廣泛應用于空氣凈化器、測量儀器等。TM52F1376應用于直發器有如下應用優勢：1、8051內核，主頻18MHz，同時內置16字節的Flash

• 國芯思辰｜基本半導體碳化硅肖特基二極管B2D30120HC1可pin to pin替換科銳C4D30120D

  SiC肖特基二極管具有零反向恢復電流和零正向恢復電壓，散熱要求低，是高頻和高效率應用的理想選擇。目前市場上以選用WOLFSPEED的碳化硅為主，但由于各種因素，許多工程師正在尋求替代器件。本文重點提到基本半導體的B2D30120HC1，該器件可pin-to-pin替代C4D30120D，其內部結構和引腳定義基本一致，B2D30120HC1和C4D30120D的參數對比：●由上圖可知，二者的反向重復

• 國芯思辰｜國產可編程霍爾電流傳感器AH914用于智能空開，檢測電流最高可達40A

  某工程師在設計智能空開產品中選用了電流互感器來實現對市電的電流檢測。當互感器采樣電流過大時，MCU控制繼電器切斷火線，避免設備因過流造成損耗，考慮到安全性問題，工程師需要該電流互感器能夠滿足3.3V供電，電流范圍較大正負20A，帶寬20KHZ左右。本文主要提到中科阿爾法的霍爾效應電流傳感器AH914，內部集成了線性霍爾電路和低阻抗的主電流導線，具備高精度、低噪聲特點，檢測電流較高可達40A，非常適