舞臺(tái)燈電源方案OC5221?5A100V共陽(yáng)高輝度調(diào)光降壓恒流芯片

時(shí)間：2024-06-26作者：久宇盛電子（深圳）有限公司瀏覽：63

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  詞條說明

• 90w氮化鎵，氮化鎵快充-久宇盛電子

  氮化鎵（GaN）是一種新型半導(dǎo)體材料，它具有高電子遷移率、高擊穿電場(chǎng)和低導(dǎo)通電阻等出色的物理特性。這些特性使得氮化鎵在制造高效能、高功率密度的電子器件方面有著巨大的潛力。 那么，當(dāng)?shù)墤?yīng)用于快充技術(shù)時(shí)，它就可以幫助實(shí)現(xiàn)較高的充電功率和較快的充電速度。與傳統(tǒng)的硅基充電器相比，氮化鎵充電器能夠在相同體積和重量下提供較高的充電功率，同時(shí)還具有較高的能量轉(zhuǎn)換效率和較低的發(fā)熱量。 至于90W氮化鎵快充，它

• dcdc大電流降壓芯片，OC5801L

  OC5801L是一款寬輸入電壓降壓型恒壓恒流DC-DC控制器，其特性與功能使其在各類電子設(shè)備中，特別是在需要將電池或外部電源的高電壓轉(zhuǎn)換為設(shè)備內(nèi)部電路所需的較低電壓時(shí)，具有廣泛的應(yīng)用。具體來說，OC5801L的主要特點(diǎn)包括：1.寬輸入電壓范圍：支持8V至150V的寬輸入電壓范圍，這使得它可以在多種電源條件下穩(wěn)定工作。2.大電流輸出：其輸出電流可高達(dá)10A以上，滿足了大電流應(yīng)用的需求。3.恒壓與恒流

• pd快充氮化鎵，30w氮化鎵-久宇盛電子

  氮化鎵是一種新型的半導(dǎo)體材料，具有高熱導(dǎo)率、高電子遷移率、低電阻率等優(yōu)良特性。 在充電設(shè)備中，氮化鎵的應(yīng)用使得充電器能夠具備較高的充電效率、較快的充電速度以及較低的發(fā)熱量。 而PD快充技術(shù)是由USB-IF組織制定的一種快速充電規(guī)范。 它通過提高電壓或電流來實(shí)現(xiàn)較快的充電速度，并且支持智能調(diào)節(jié)電壓和電流，以保證充電過程的安全和穩(wěn)定。并廣泛應(yīng)用于智能手機(jī)、平板電腦等設(shè)備的充電中。30W的充電功率對(duì)于大

• 封裝外周圍元器件少的芯片，可采用大輸出電容啟動(dòng)芯片，OC5864

  OC5864是一款具有許多特性的芯片。它是一款內(nèi)置功率MOSFET的單片降壓型開關(guān)模式轉(zhuǎn)換器，能在寬輸入電源范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定的峰值輸出電流，并具有出色的線電壓和負(fù)載調(diào)整率。此外，OC5864還集成了包括逐周期電流限制和熱關(guān)斷等保護(hù)功能，確保了芯片的穩(wěn)定性和性。 值得一提的是，OC5864的外圍元器件相對(duì)較少，這使得它在封裝和布局上為簡(jiǎn)潔，有助于減少整體電路的復(fù)雜性和提高性。同時(shí)，該芯片還支持采用大輸