芯片技術

時間：2020-04-10

作者：儀準科技（北京）有限公司

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微納加工應用
聚焦離子束，Focused Ion beam 服務介紹：FIB（聚焦離子束，Focused Ion beam）是將液態金屬離子源產生的離子束經過離子槍加速，聚焦后照射于樣品表面產生二次電子信號**電子像，此功能與SEM（掃描電子顯微鏡）相似，或用強電流離子束對表面原子進行剝離，以完成微、納米級表面形貌加工。服務范圍：工業和理論材料研究，半導體，數據存儲，自然資源等領域服務內容：1.芯片電路修改
中國大陸半導體材料市場的新突破
半導體材料是半導體產業發展的基礎，它融合了當代眾多學科的**成果，在半導體制造技術不斷升級和產業的持續創新發展中扮演著重要角色。半導體技術每前進一步都對材料提出新的要求，而材料技術的每一次發展也都為半導體新結構、新器件的開發提供了新的思路。2019年，國內半導體材料在各方共同努力下，部分中**領域**可喜突破，國產化進一步提升。行業整體影響下，市場規模小幅下滑受行業整體不景氣影響，2019年全
微電子失效分析方法總結
微電子失效分析方法總結失效分析趙工 1 、C-SAM（超聲波掃描顯微鏡)，無損檢查:１.材料內部的晶格結構，雜質顆粒．夾雜物．沉淀物．2. 內部裂紋. 3.分層缺陷.4.空洞,氣泡,空隙等. 德國 2 、X－Ray（這兩者是芯片發生失效后首先使用的非破壞性分析手段），德國Fein 微焦點Xray用途：半導體BGA，線路板等內部位移的分析；利于判別空焊，虛焊等BGA焊接缺陷. 參數：標準檢測分
失效分析含義和具體操作
失效分析技術，失效分析實驗室，失效機制是導致零件、元器件和材料失效的物理或化學過程。此過程的誘發因素有內部的和外部的。在研究失效機制時，通常先從外部誘發因素和失效表現形式入手，進而再研究較隱蔽的內在因素。在研究批量性失效規律時，常用數理統計方法，構成表示失效機制、失效方式或失效部位與失效頻度、失效百分比或失效經濟損失之間關系的排列圖或帕雷托圖，以找出必須首先解決的主要失效機制、方位和部位。任一產品