可控硅模塊的好壞如何判斷？

時(shí)間：2020-09-19作者：上海秦邦電子科技有限公司瀏覽：813

上海秦邦電子科技有限公司專注于可控硅模塊,英飛凌IGBT模塊,二極管模塊,整流橋模塊,熔斷器保險(xiǎn)絲,進(jìn)口晶閘管,德國(guó)西門康可控硅等, 歡迎致電 15995613456

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  詞條說明

• 【可控硅模塊】可控硅模塊特點(diǎn)

  可控硅模塊特點(diǎn)1、整流結(jié)構(gòu)**采用**出口變壓器結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)大大提高了整流效率節(jié)約了能源并使整機(jī)體積、重量大為減小，可靠性大為提高。2、控制特性良好采用的控制電路與**主流可控硅控制電路可完全互換，該控制電路它具有自動(dòng)穩(wěn)壓/穩(wěn)流、自動(dòng)電流密度、0-180秒任意調(diào)節(jié)軟啟動(dòng)等良好控制功能，并可通過接口實(shí)現(xiàn)計(jì)算機(jī)控制，是目前**的可控硅控制系統(tǒng)。工作穩(wěn)定、抗干擾能力強(qiáng)、穩(wěn)流/穩(wěn)壓精度高、使用壽命長(zhǎng)。3、工作

• 可控硅調(diào)速原理

  可控硅調(diào)速是用改變可控硅導(dǎo)通角的方法來改變電機(jī)端電壓的波形,從而改變電機(jī)端電壓的有效值,達(dá)到調(diào)速的目的。當(dāng)可控硅導(dǎo)通角=180時(shí),電機(jī)端電壓波形為正弦波,即全導(dǎo)通狀態(tài);當(dāng)可控硅導(dǎo)通角<180時(shí),即非全導(dǎo)通狀態(tài),電壓有效值減小;導(dǎo)通角越小,導(dǎo)通狀態(tài)越少,則電壓有效值越小,所產(chǎn)生的磁場(chǎng)越小,則電機(jī)的轉(zhuǎn)速越低。由以上的分析可知,采用可控硅調(diào)速其電機(jī)的轉(zhuǎn)速可連續(xù)調(diào)節(jié)。CPU⑥腳輸出的驅(qū)動(dòng)信號(hào)經(jīng)Q5放

• 高功率密度IGBT模塊FF1200R12IE5測(cè)試？

  其中FF1200R12IE5是英飛凌公司新推出的一款高功率密度IGBT模塊，如圖4所示。電壓等級(jí)1200V，電流等級(jí)1200A。IGBT5本身具有高工作結(jié)溫的特點(diǎn)，可以達(dá)到175℃。為了充分發(fā)揮其高工作結(jié)溫特點(diǎn)，新一代PrimePACK?2封裝結(jié)合較新的.XT技術(shù)和新的設(shè)計(jì)方法，在保持上一代封裝尺寸的基礎(chǔ)上使得模塊電流輸出能力提升了33％。因此本實(shí)驗(yàn)選用此高功率密度IGBT模塊，分別使用兩種驅(qū)動(dòng)對(duì)

• 德國(guó)西門康可控硅你了解多少

  德國(guó)西門康可控硅你了解多少可控硅又稱晶閘管。自從20世紀(jì)50年代問世以來已經(jīng)發(fā)展成了電子元器件中**的一員，而目前交流調(diào)壓多采用雙向可控硅，它具有體積小、重量輕、效率高和使用方便等優(yōu)點(diǎn)，對(duì)提高生產(chǎn)效率和降低成本等都有顯著效果，但它也具有過載和抗干擾能力差，且在控制大電感負(fù)載時(shí)會(huì)干擾電網(wǎng)和自干擾等缺點(diǎn)，下面我們來談?wù)効煽毓柙谄涫褂弥腥绾伪苊馍鲜鰡栴}。一、 靈敏度雙向可控硅是一個(gè)三端元件，但我們不