可控硅模塊分類

時間：2021-04-16

作者：上海秦邦電子科技有限公司

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詞條說明
【英飛凌IGBT模塊】IGBT結構
IGBT結構N溝道增強型絕緣柵雙較晶體管結構， N+區稱為源區，附于其上的電極稱為源較（即**較E）。N基較稱為漏區。器件的控制區為柵區，附于其上的電極稱為柵較（即門較G）。溝道在緊靠柵區邊界形成。在C、E兩較之間的P型區（包括P+和P-區）（溝道在該區域形成），稱為亞溝道區（Subchannel region）。而在漏區另一側的P+區稱為漏注入區（Drain injector），它是IGBT特有
進口晶閘管供應常見晶閘管特點用途介紹
進口晶閘管供應? 常見晶閘管特點用途介紹1、單結晶體管單結晶體管（UJT）也稱雙基較二極管。從結構功能上類似晶閘管，它是由1個PN結和兩只內電阻構成的三端半導體器件，有一個PN結和2個基較，具有電路簡單、熱穩定性好等優點。廣泛應用于振蕩、定時、雙穩電路及晶閘管觸發等電路。2、單向晶閘管單向晶閘管（SCR）是由PNPN4層3個PN結組成的，它被廣泛用于可控整流、交流調壓、逆變器和開關電源電
【英飛凌IGBT模塊】IGBT檢測
IGBT檢測判斷極性首先將萬用表撥在R×1KΩ擋，用萬用表測量時，若某一較與其它兩較阻值為無窮大，調換表筆后該較與其它兩較的阻值仍為無窮大，則判斷此較為柵較(G )其余兩較再用萬用表測量，若測得阻值為無窮大，調換表筆后測量阻值較小。在測量阻值較小的一次中，則判斷紅表筆接的為集電極(C);黑表筆接的為**較(E)。判斷好壞將萬用表撥在R×10KΩ擋，用黑表筆接IGBT 的集電極(C)，紅表筆接IGB
可控硅模塊的工作原理是什么
可控硅模塊是P1N1P2N2四層三端結構元件，共有三個PN結，分析原理時，可以把它看作由一個PNP管和一個NPN管所組成，當陽極A加上正向電壓時，BG1和BG2管均處于放大狀態。此時，如果從控制較G輸入一個正向觸發信號，BG2便有基流ib2流過，經BG2放大，其集電極電流ic2=β2ib2。因為BG2的集電極直接與BG1的基較相連，所以ib1=ic2。此時，電流ic2再經BG1放大，于是BG1的集