SLKOR 薩科微 國產替代 TI , ST , 光寶，EPSON愛普生

時間：2022-10-26作者：深圳市薩科微半導體有限公司瀏覽：207

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  詞條說明

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  近年來，SiC（碳化硅）作為典型的*三代半導體材料，在禁帶寬度、擊穿電場強度、飽和電子漂移速率、熱導率以及抗輻射等關鍵參數方面具有顯著優勢。近年來電動汽車市場快速增長，其中高壓SiC?MOSFET作為電動汽車主逆變器和車載充電器的**元器件，市場需求量巨大。尤其是用于主逆變器的1200V/100A高壓、大電流SiC?MOSFET芯片，代表了當前SiC電力電子芯片技術的較高水平，

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