KRI 考夫曼射頻離子源濺射制備微晶硅薄膜

時間：2024-01-12作者：伯東企業（上海）有限公司瀏覽：52

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• KRI 考夫曼射頻離子源濺射制備微晶硅薄膜

  硅薄膜作為薄膜太陽能電池的材料越來越引起人們的重視, 非晶硅薄膜太陽能電池由于存在轉換效率低和由 S-W 效應引起的效率衰退等問題, 而微晶硅薄膜具有較高電導率、較高載流子遷移的電學性質及優良的光學穩定性, 可以克服非晶硅薄膜的不足, 已成為光伏領域的研究熱點.?采用磁控濺射沉積硅薄膜不需要使用 SiH4 等有毒氣體及相應的尾氣處理裝置, 有利于降低設備成本, 且工藝參數控制, 因此經過

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• 模塊式檢漏儀應用于氫能行業真空箱檢漏系統

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• 氦質譜檢漏儀 ASM 340D 高真空排氣臺密封性泄露檢測

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