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????? 雙向可控硅-伏安特性 ????? 單向可控硅 ????(1)反向特性 ????? 當控制較開路,陽極加上反向電壓時,J2結正偏,但J1、J2結反偏。此時只能流過很小的反向飽和電流,當電壓進一步提高
可控硅元件—可控硅元件的結構 l?一種以硅單晶為基本材料的P1N1P2N2四層三端器件,創制于1957年,由于它特性類似于真空閘流管,所以**上通稱為硅晶體閘流管,簡稱晶閘管T。又由于晶閘管較初應用于可控整流方面所以又稱為硅可控整流元件,簡稱為可控硅SCR。 l?在性能上,可控硅不僅具有單向導電性,而且還具有比硅整流元件(俗稱“死硅”)較為可貴的可控性。它只有導通和關斷兩種狀
??? 雪崩二極管是利用半導體結構中載流子的碰撞電離和渡越時間兩種物理效應而產生負阻的固體微波器件。 ??? 雪崩擊穿是在電場作用下,載流子能量增大,不斷與晶體原子相碰,使共價鍵中的電子激發形成自由電子-空穴對。新產生的載流子又通過碰撞產生自由電子-空穴對,這就是倍增效應。1生2,2生4,像雪崩一樣增加載流子。 齊納擊穿完全不同,在高的反
如何解決可控硅中頻電源運行中干擾問題呢? 隨著電力電子技術的發展和電力電子元器件(晶閘管)制造水平的提高,中頻感應加熱技術日臻完善。中頻感應加熱以其便捷高效的加熱性能正逐步取代煤、油等燃料加熱而成為工業加熱的可以選擇方式。作為感應加熱裝置的電源,KGPS(可控硅靜止變頻裝置)與傳統BPS機組(中頻發電機組)相比,負載適應性強,效率高,易于形成自動加熱線,已在工業加熱領域得到越來越廣泛的應用。 無論是
公司名: 武漢武整機電有限公司
聯系人: 王先生
電 話: 027-85667758
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地 址: 湖北武漢江夏區湖北省武漢市江夏區東湖**開發區光谷二路與高新五路交匯處北首地塊
郵 編: 430014
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