CR5249：全新科技力作

時間：2024-02-20作者：深圳市維品佳科技有限公司瀏覽：243

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  詞條說明

• 肖特基二管的內部結構

  肖特基二管的內部結構肖特基（Schottky）二管也稱肖特基勢壘二管（簡稱SBD），是由金屬與半導體接觸形成的勢壘層為基礎制成的二管，其主要特點是正向導通壓降小（約0.45V），反向恢復時間短和開關損耗小，是一種低功耗、高速半導體器件。肖特基二管在結構原理上與PN結二管有很大區別，它的內部是由陽金屬（用鉬或鋁等材料制成的阻擋層）、二氧化硅（SiO2）電場消除材料、N-外延層（砷材料）、N型硅基片、

• 分析肖特基二管的優勢與結構應用

  分析肖特基二管的優勢與結構應用? ?一、肖特基二管具有的優勢肖特基二管MBR系列快的開關速度以及非常低的反向恢復時間使它們非常適合高頻應用，并能大程度降低開關損耗。肖特基二管與普通的PN結二管不同。是使用N型半導體材料與金屬在一起結合形成金屬一半導體結。肖特基二管比普通二管有正向壓降低、反向電荷恢復時間短（10ns以內）等優點。二、肖特基二管結構肖特基二管在結構原理上與PN結二

• 電源芯片CR1252的工作原理

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