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IXYS可控硅模塊的選擇需要考慮多個因素,包括模塊的電壓、電流容量、觸發電流和工作溫度等。以下是對IXYS可控硅模塊選擇的一些基本步驟和注意事項的簡要概述:1. **確定應用需求**:首先,你需要明確你的應用場景需要什么樣的電壓和電流。IXYS可控硅模塊的電壓范圍從5V到400V不等,電流范圍從幾毫安到幾百安培。確保你的模塊能夠滿足你的實際需求。2. **考慮負載特性**:可控硅模塊的負載特性對其
可控硅具有相控工作原理,采用相位控制的方法來實現調光,通過觸發信號來控制可控硅的導通角,將電網輸入的正弦波電壓斬掉一部分,來降低輸出電壓的平均值,控制燈電路供電電壓,從而實現調光??煽毓柘嗫卣{光對照明系統的電壓調節速度快,精度高,調光參數可以分時段實時調整。由于調光電路主要由電子元件組成,相對來說體積小、重量輕、成本低。但是可控硅調光由于工作在斬波方式,電壓無法實現正弦波輸出,因此出現大量諧波,形
可控硅調速是用改變可控硅導通角的方法來改變電機端電壓的波形,從而改變電機端電壓的有效值,達到調速的目的。當可控硅導通角=180時,電機端電壓波形為正弦波,即全導通狀態;當可控硅導通角<180時,即非全導通狀態,電壓有效值減小;導通角越小,導通狀態越少,則電壓有效值越小,所產生的磁場越小,則電機的轉速越低。由以上的分析可知,采用可控硅調速其電機的轉速可連續調節。CPU⑥腳輸出的驅動信號經Q5放
## 電力電子核心器件IGBT模塊的技術解析IGBT模塊作為現代電力電子系統的核心部件,在工業變頻、新能源發電、電動汽車等領域發揮著不可替代的作用。這種復合型功率半導體器件完美結合了MOSFET的高輸入阻抗和BJT的低導通壓降特性,展現出優異的電氣性能。在結構設計上,IGBT模塊采用多層堆疊工藝,包含數十個微米級薄層。其中柵極結構的設計直接影響開關特性,工程師通過優化柵極幾何形狀和摻雜分布,在開關
公司名: 昆山奇沃電子有限公司
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電 話: 0512-50111678
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