中國攝像頭CMOS需求潛力旺盛

時間：2022-12-07作者：深圳海木芯科技有限公司瀏覽：231

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  詞條說明

• SOI CMOS結構和工藝

  常規的CMOS結構中，電源與地之間存在寄生的PNPN即SCR結構。當SCR被觸發時，電源到地之間存在低阻通道，引起較大電流，破壞電路工作甚至燒毀電路，這就是閂鎖效應 (Latch-up)。為避免閂鎖效應，早期采用SOS (Silicon On Sapphire) 技術制作CMOS電路，即在藍寶石絕緣襯底上外延硅，之后制作器件，這就有效的避免MOS管的源、漏區和襯底之間形成PN結。但是，藍寶石價格昂

• 對攝像機來說，3CMOS（3片 CMOS）重要嗎，與單片 CMOS 畫質上區別有多大？

  理論區別的話，基本上三片式結構（ 3CCD 或者 3 CMOS )因為一個像素可以同時感三種顏色的光，對于光線的利用較為完全，同時不會有混色效應，所以比起拜爾矩陣擁有較好的銳度。三片式結構較早可以追溯到彩色膠片錄影。通過分光把入射光線打到三個感不同顏色的膠片上。而到了數碼時代只需要把膠片換成光電轉換器件（如 CCD、CMOS 等）就行了，實際上**臺數字電影攝影機就是 3CCD （藍鯡魚，阿萊和美

• CMOS工藝流程介紹

  CMOS的制作需要經過一系列的復雜的化學和物理操作，而做為一名集成電路版圖（ic layout）工程師，系統的了解這個在半導體制造技術中具有代表性的CMOS工藝流程是非常有必要的。只有熟悉了工藝流程才會了解各層次之間的關系，才會在IC Layout的繪制中考慮到版圖中各層次對流片產生的影響。1初始清洗將晶圓放入清洗槽中，利用化學或物理方法將在晶圓表面的塵粒或雜質去除，防止這些雜質塵粒對后續制造工藝

• CMOS微縮結束了嗎？

  不可否認的是，CMOS的微縮已經成為推動過去幾十年的巨大進步的“燃料”，以提高性能、效率和降低集成電路和系統的成本，從而實現新的應用。摩爾定律的終結已經被預言了很多次，而材料、設備概念和圖案的創新已經為當前的10nm以下技術掃清了道路。然而，該行業已經到了這樣一個階段:過去50年的規模化所帶來的功耗、性能、面積和成本(PPAC)方面的典型收益已經變得越來越難以實現，尤其是在展望未來3nm技術的時候