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IGBT(絕緣柵雙極型晶體管),是由 BJT(雙極結型晶體三極管) 和 MOS(絕緣柵型場效應管) 組成的復合全控型-電壓驅動式-功率半導體器件,其具有自關斷的特征。簡單講,是一個非通即斷的開關,IGBT沒有放大電壓的功能,導通時可以看做導線,斷開時當做開路。IGBT融合了BJT和MOSFET的兩種器件的優點,如驅動功率小和飽和壓降低等。IGBT模塊是由IGBT與FWD(續流二極管芯片)通過特定的
IGBT的工作原理IGBT是將強電流、高壓應用和快速終端設備用垂直功率MOSFET的自然進化。由于實現一個較高的擊穿電壓BVDSS需要一個源漏通道,而這個通道卻具有很高的電阻率,因而造成功率MOSFET具有RDS(on)數值高的特征,IGBT消除了現有功率MOSFET的這些主要缺點。雖然最新一代功率MOSFET 器件大幅度改進了RDS(on)特性,但是在高電平時,功率導通損耗仍然要比IGBT 技術
英飛凌IGBT是一種高性能功率半導體器件,具有廣泛的應用領域。以下是英飛凌IGBT的一些主要用途:變頻驅動器:英飛凌IGBT被廣泛用于交流電驅動器中,例如用于工業應用中的電機控制,如風力發電機、電梯、水泵、壓縮機等。其高電壓和高電流能力使其適用于各種功率需求。電力傳輸和分配:英飛凌IGBT在電力系統中的應用廣泛,用于直流輸電、柔性交流輸電系統、高壓直流輸電站等。它們能夠實現高效的電力傳輸和變換,提
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