詞條
詞條說明
IGBT 的驅動和保護進行了分析,結合實際應用,得出了如下幾點結論:1. 柵極串聯(lián)電阻和驅動電路內(nèi)阻抗對 IGBT 的開通過程及驅動脈沖的波形都有很大影響。設計時應綜合考慮。2. 在大電感負載下,IGBT 的開關時間不能太短,以限制出 di/dt 形成的尖峰電壓,確保 IGBT 的安全。3. 由于 IGBT 在電力電子設備中多用于高壓場合,故驅動電路與控制電路在電位上應嚴格隔離,驅動電路與 IGB
富士IGBT是一種功率半導體器件,具有以下優(yōu)勢特點:高功率密度:富士IGBT具有良好的導通和關斷特性,可以實現(xiàn)高功率輸出,有助于減小器件尺寸和重量。低導通壓降:富士IGBT具有低導通壓降,使其在開關狀態(tài)下具有較低的能耗和功率損耗,有助于提高器件和系統(tǒng)的效率。快速開關速度:富士IGBT的開關速度較快,能夠實現(xiàn)快速的開關操作,有助于減小開關損耗和提高系統(tǒng)響應速度。可靠性高:富士IGBT采用高質量的材料
富士IGBT作為一種高功率半導體器件,廣泛應用于以下領域和場合:工業(yè)自動化:富士IGBT常用于工業(yè)電機驅動、電力電子變頻器、電力控制和調(diào)節(jié)系統(tǒng)等,用于實現(xiàn)精確的速度和位置控制,提高工業(yè)生產(chǎn)效率和能源利用率。交通運輸:富士IGBT在交通運輸領域的應用包括電動汽車和混合動力汽車的功率逆變器、牽引系統(tǒng)、電力傳動裝置和列車控制系統(tǒng)等,支持高效、環(huán)保的交通方式。可再生能源:富士IGBT在太陽能光伏發(fā)電系統(tǒng)和
IGBT(絕緣柵雙極型晶體管),是由 BJT(雙極結型晶體三極管) 和 MOS(絕緣柵型場效應管) 組成的復合全控型-電壓驅動式-功率半導體器件,其具有自關斷的特征。簡單講,是一個非通即斷的開關,IGBT沒有放大電壓的功能,導通時可以看做導線,斷開時當做開路。IGBT融合了BJT和MOSFET的兩種器件的優(yōu)點,如驅動功率小和飽和壓降低等。IGBT模塊是由IGBT與FWD(續(xù)流二極管芯片)通過特定的
公司名: 深圳市寶安區(qū)誠芯源電子商行
聯(lián)系人: 劉經(jīng)理
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手 機: +86 13128707396
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地 址: 廣東深圳福田區(qū)園嶺街道園東社區(qū)園嶺八街園嶺新村92棟103
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