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###?單向可控硅BT169D性能解析與應用實踐####?性能特征BT169D作為平面型塑封單向可控硅,其技術參數展現出的工程定位。在25℃環境溫度下,器件維持400V重復峰值電壓(VRRM)與4A通態平均電流(IT(AV))的平衡設計,浪涌電流承受能力達到40A(50Hz/10ms)。觸發特性方面,門觸發電流(IGT)典型值0.2mA,觸發電壓(VGT)不過1.5V,適用于低
今年第2季臺灣半導體產業步入成長階段,預估產值達4,115億元,成長14.3%
2012年*1季閩臺整體半導體產業產值3,601億元,較2011年*4季衰退3.1%,雖受到傳統淡季影響,但不同于以往下滑1成的幅度,今年*1季閩臺IC產業表現相對抗跌。展望*2季,工研院IEKITIS計畫分析,今年*2季閩臺半導體產業步入成長階段,預估產值達4,115億元,較*1季成長14.3%。 *1季閩臺IC產業表現相對抗跌,ITIS計畫分析,雖然智慧手持裝置市場有下滑的壓力,但資訊、消費性
羅姆在半導業界以高收益企業而聞名 為何利潤率從30%降至3%如此程度?
羅姆在半導業界以高收益企業而**,但羅姆高層如今并不這么看。該公司銷售利潤率曾一度高達近30%,但2006年度跌破20%,2009年度以后進一步降至10%以下,2012年度甚至只有不到3%,下滑到了2.1%。在經歷雷曼事件及日本大地震后,羅姆全財年業績并未出現虧損,從這一點看,可以說該公司依然擁有強大的收益力,但為何收益力下滑到如此程度了呢? 2012年6月13日,在于大阪市舉行的半導體講壇上,羅
據物理學家組織網5月9日(北京時間)報道,美國加州大學河濱分校伯恩斯工程學院的研究人員開發出一種新技術,可借助石墨烯實現大功率半導體設備的大幅降溫,解決在交通信號燈和電動汽車中使用的半導體材料散熱問題。相關研究報告5月8日發表在《自然·通訊》雜志上。 自上世紀90年代以來,半導體材料氮化鎵(GaN)就被用于強光的制造,并因為高效和可耐高電壓工作而被用于無線設備中。然而就像所有大功率操作設備一樣,氮
公司名: 深圳市凱高達科技有限公司
聯系人: 鄧帥
電 話: 0755-23318548
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地 址: 廣東深圳寶安區寶安區新安街道39區13棟104
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