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氦質譜檢漏儀 MPCVD 檢漏, 實現金剛石膜制備微波等離子體化學氣相沉積法 Microwave Plasma CVD (MPCVD) 是目前**上被用于金剛石膜制備的公認方法. MPCVD 裝置將微波發生器產生的微波經波導傳輸系統進入反應器, 并通入甲烷與氫氣的混合氣體, 在微波的激發下, 在反應室內產生輝光放電, 使反應氣體的分子離化, 產生等離子體, 在基板臺上沉積得到金剛石膜. 上海伯東某
上海伯東是美國?HVA 高真空和高真空閥門中國總代理!?HVA?是美國大的真空閥門制造商, 在美國有過四十年的歷史, 擁有6萬平方英尺的全自動加工工廠,?HVA?提供高質量, 準確, 客制化的真空閥門. 無論是生產線升級, 還是新設備制造,?HVA?都能提供經濟有效的閥門解決方案, 其中高真空閘閥現已廣泛應用于半導體氣體管路和各
上海伯東美國?KRi 考夫曼 RF 射頻離子源, 燈絲提供高能量, 低濃度的寬束離子束, 離子束轟擊濺射目標, 濺射的原子(分子)沉積在襯底上形成薄膜, IBSD 離子束濺射沉積 和 ?IBD 離子束沉積是其典型的應用.KRi?離子源在 IBSD 離子束濺射沉積應用通常安裝兩個離子源主要濺射沉積源和二次預清潔 / 離子輔助源一次氣源為惰性氣體, 二次氣源為惰性或反應性
KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP220濺射沉積 ZrAlN薄膜
合金化是提高過渡族金屬氮化物薄膜硬度及抗磨損、耐腐蝕性能的有效方法。Al是常用合金化元素,能提高薄膜的硬度和抗高溫氧化性能。?北京某大學實驗室在對硬韌 ?ZrAlN 薄膜及薄膜力學性能研究中, 采用伯東?KRI?考夫曼射頻離子源?RFCIP220? 輔助磁控濺射沉積的方法在鈦合金和單晶 Si 上沉積不同 Al 含量的ZrAlN 薄膜.&n
公司名: 伯東企業(上海)有限公司
聯系人: 葉南晶
電 話: 021-50463511
手 機: 13918837267
微 信: 13918837267
地 址: 上海浦東高橋上海浦東新區新金橋路1888號36號樓7樓702室
郵 編:
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