等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相淀積系統(tǒng)(PECVD)

時(shí)間：2014-10-22作者：青島福潤(rùn)德微電子設(shè)備有限公司瀏覽：86

青島福潤(rùn)德微電子設(shè)備有限公司專注于鏈?zhǔn)綘t排,全自動(dòng)擴(kuò)散爐,小型真空爐,加熱爐體,石棉圈,小型馬弗爐等

• 詞條

  詞條說(shuō)明

• led專用爐

  ■ LED**爐特點(diǎn)?? ◆ 關(guān)鍵件全部采用進(jìn)口件，具有高可靠性 ◆ 具有可編程的升、降溫功能???????? ◆ 具有斷電報(bào)警、**溫報(bào)警、極限**溫報(bào)警等多種安全保護(hù)功能。 ◆ 具有高抗干擾能力 ◆ 具有多種工藝管路，可供用戶隨意靈活配置?? ?★?賽瑞達(dá)可

• 立式真空爐

  空爐（vacuum furnace）是真空環(huán)境中進(jìn)行加熱的設(shè)備。在金屬罩殼或石英玻璃罩密封的爐膛中用管道與高真空泵系統(tǒng)聯(lián)接。爐膛真空度可達(dá)133×(10-2～10-4)h。爐內(nèi)加熱系統(tǒng)可直接用電阻爐絲(如鎢絲)通電加熱，也可用高頻感應(yīng)加熱。較高溫度可達(dá)3000℃左右。主要用于陶瓷燒成、真空冶煉、電真空零件除氣、退火、金屬件的釬焊，以及陶瓷-金屬封接等。 目 錄 1概述 2構(gòu)造 3原理 4功能 5

• LPCVD設(shè)備

  LPCVD設(shè)備維修及應(yīng)用 低壓化學(xué)氣相淀積設(shè)備使用與維護(hù)技術(shù) LPCVD是大規(guī)模集成電路(LSI)和**大規(guī)模集成電路(VLSI)以及半導(dǎo)體光電器件工藝領(lǐng)域里的主要工藝之一。 PCVD技術(shù)可以提高淀積薄膜的質(zhì)量，使膜層具有均勻性好、缺陷密度低、臺(tái)階覆蓋性好等優(yōu)點(diǎn)，成為制備Si 3N4薄膜的主要方法。熱壁LPCVD設(shè)備使用過(guò)程中出現(xiàn)薄膜的淀積速率、薄膜的均勻性、片內(nèi)均勻性、片間均勻性不理想等問(wèn)題，提

• 擴(kuò)散爐

  擴(kuò)散爐由控制系統(tǒng)、進(jìn)出舟系統(tǒng)、爐體加熱系統(tǒng)和氣體控制系統(tǒng)等組成。 控制系統(tǒng) 控制部分包括：溫控器、功率部件、**溫保護(hù)部件、系統(tǒng)控制。 系統(tǒng)控制部分有四個(gè)獨(dú)立的計(jì)算機(jī)控制單元，分別控制每層爐管的推舟、爐溫及氣路部分，是擴(kuò)散/氧化系統(tǒng)的控制中心。 擴(kuò)散爐網(wǎng)絡(luò)控制 輔助控制系統(tǒng)，包括推舟控制裝置、保護(hù)電路、電路轉(zhuǎn)接控制、三相電源指示燈、照明、凈化及抽風(fēng)開關(guān)等。 較**的擴(kuò)散爐控制系統(tǒng)均已較新或升級(jí)到微