立式真空爐

時(shí)間：2014-10-22作者：青島福潤(rùn)德微電子設(shè)備有限公司瀏覽：260

青島福潤(rùn)德微電子設(shè)備有限公司專(zhuān)注于鏈?zhǔn)綘t排,全自動(dòng)擴(kuò)散爐,小型真空爐,加熱爐體,石棉圈,小型馬弗爐等

• 詞條

  詞條說(shuō)明

• 鏈帶式焊接爐

  鏈帶式焊接爐技術(shù)方案 鏈帶式焊接爐主要應(yīng)用于半導(dǎo)體器件，金屬陶瓷，可控硅器件，玻璃封裝器件以及各種厚膜電路等焊接和燒結(jié)的連續(xù)工作的隧道式結(jié)構(gòu)熱處理爐。 一、主要技術(shù)指標(biāo) 1、設(shè)計(jì)溫度：≤700℃ 2、工作溫度：300℃~600℃ 3、爐內(nèi)控溫：±5℃ 4、儀表控制精度：±1℃ 5、設(shè)備總長(zhǎng)度：約10600mm；進(jìn)出口臺(tái)面各為：800mm。 6、加熱區(qū)長(zhǎng)度：≤3000mm（6段加熱） 7、冷卻區(qū)長(zhǎng)

• LPCVD設(shè)備

  LPCVD設(shè)備維修及應(yīng)用 低壓化學(xué)氣相淀積設(shè)備使用與維護(hù)技術(shù) LPCVD是大規(guī)模集成電路(LSI)和**大規(guī)模集成電路(VLSI)以及半導(dǎo)體光電器件工藝領(lǐng)域里的主要工藝之一。 PCVD技術(shù)可以提高淀積薄膜的質(zhì)量，使膜層具有均勻性好、缺陷密度低、臺(tái)階覆蓋性好等優(yōu)點(diǎn)，成為制備Si 3N4薄膜的主要方法。熱壁LPCVD設(shè)備使用過(guò)程中出現(xiàn)薄膜的淀積速率、薄膜的均勻性、片內(nèi)均勻性、片間均勻性不理想等問(wèn)題，提

• 等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相淀積系統(tǒng)(PECVD)

  ? 等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相淀積系統(tǒng)(PECVD) PECVD（等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相淀積）設(shè)備是一種用于在基片上生成高質(zhì)量SiNx和SiO2薄膜的**設(shè)備。淀積溫度范圍寬( 100～600oC可調(diào))，特別適用于半導(dǎo)體器件和集成電路的鈍化，用以提高器件和集成電路可靠性。目前，它已成為微電子和光電子領(lǐng)域科研和生產(chǎn)不可缺少的設(shè)備。 產(chǎn)品特點(diǎn)： 1、膜質(zhì)量高。它不同于通常使用的翻蓋式單室機(jī)（易漏大氣而

• 立式真空爐

  空爐（vacuum furnace）是真空環(huán)境中進(jìn)行加熱的設(shè)備。在金屬罩殼或石英玻璃罩密封的爐膛中用管道與高真空泵系統(tǒng)聯(lián)接。爐膛真空度可達(dá)133×(10-2～10-4)h。爐內(nèi)加熱系統(tǒng)可直接用電阻爐絲(如鎢絲)通電加熱，也可用高頻感應(yīng)加熱。較高溫度可達(dá)3000℃左右。主要用于陶瓷燒成、真空冶煉、電真空零件除氣、退火、金屬件的釬焊，以及陶瓷-金屬封接等。 目 錄 1概述 2構(gòu)造 3原理 4功能 5